Estudio por microscopía electrónica y espectroscopía de infra-rojos de capas de SiC obtenidas mediante carburización de obleas de Si

The fabrication and characterization of thin SiC layers obtained by Rapid Thermal Chemical Vapour Deposition (RTCVD) are reported. These SiC layers were grown in a simple home-made system for Si wafers carbonization. The growth process was carried out using a mixture of H2 and C3H8 as the C precursor. (001) Si was carbonized at atmospheric pressure while (111) and (001) Si surfaces were carbonized at vacuum conditions. Scanning electron microscopy (SEM) and transmission electron microscopy in conventional (CTEM), high resolution (HREM), and electron diffraction (TED) modes, as well as reflectivity Fourier transform infra-red spectroscopy (R-FTIR) were the techniques used for the structural and compositional studies of these SiC layers that mainly consisted in highly oriented 3C-SiC.Se presentan la fabricación y caracterización de capas delgadas de carburo de silicio (SiC) obtenidas mediante deposición química de vapores por elevación rápida de la temperatura (RTCVD). El proceso de carburización se lleva a cabo utilizando una mezcla de H2 y C3H8 como único gas precursor de C. Se carburizaron trozos de obleas de Si (001) a presión atmosférica y Si (111) y (001) en condiciones de vacío. Se han utilizado técnicas de microscopía electrónica de barrido (SEM), microscopía electrónica de transmisión convencional (CTEM), de alta resolución (HREM) y de difracción de electrones (TED) así como espectroscopía de infra-rojos por transformada de Fourier en su variante de reflectividad (R-FTIR) para el estudio de la composición y estructura de las capas delgadas obtenidas. Estas capas consisten mayoritariamente en 3C-SiC altamente orientado sobre el sustrato.