Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Analysis of the Electrical Parameters of SOI Junctionless Nanowire Transistors at High Temperatures

Tytuł:
Analysis of the Electrical Parameters of SOI Junctionless Nanowire Transistors at High Temperatures
Autorzy:
Thales Augusto Ribeiro
Sylvain Barraud
Marcelo Antonio Pavanello
Temat:
Threshold voltage
subthreshold slope
carrier mobility
high temperature
junctionless
nanowires
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Źródło:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 492-499 (2021)
Wydawca:
IEEE, 2021.
Rok publikacji:
2021
Kolekcja:
LCC:Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
Typ dokumentu:
article
Opis pliku:
electronic resource
Język:
English
ISSN:
2168-6734
Relacje:
https://ieeexplore.ieee.org/document/9321370/; https://doaj.org/toc/2168-6734
DOI:
10.1109/JEDS.2021.3051500
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/571b117f50df4891b0c1000a886fe711  Link otwiera się w nowym oknie
Numer akcesji:
edsdoj.571b117f50df4891b0c1000a886fe711
Czasopismo naukowe
This work studies the effects of the temperature variation, from 300K to 500K, on the electrical parameters of SOI n-type and p-type junctionless nanowire transistors. The temperature influence on the threshold voltage, subthreshold slope, and the effective carrier mobility were analyzed. The mobility scattering mechanisms were analyzed and show that nanowire devices have the phonon scattering as their major component, although there is a significant component of the ionized impurity scattering that can be identified as well. These electrical parameters were also analyzed for short channel devices with a channel length of 40nm. P-type devices showed higher degradation with the temperature as the doping concentration is higher than n-type devices.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies