Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ
Tytuł pozycji:

Heterogeneously integrated ITO plasmonic Mach–Zehnder interferometric modulator on SOI

Tytuł :
Heterogeneously integrated ITO plasmonic Mach–Zehnder interferometric modulator on SOI
Autorzy :
Rubab Amin
Rishi Maiti
Yaliang Gui
Can Suer
Mario Miscuglio
Elham Heidari
Jacob B. Khurgin
Ray T. Chen
Hamed Dalir
Volker J. Sorger
Pokaż więcej
Temat :
Medicine
Science
Źródło :
Scientific Reports, Vol 11, Iss 1, Pp 1-12 (2021)
Wydawca :
Nature Publishing Group, 2021.
Rok publikacji :
2021
Kolekcja :
LCC:Medicine
LCC:Science
Typ dokumentu :
article
Opis pliku :
electronic resource
Język :
English
ISSN :
2045-2322
Relacje :
https://doaj.org/toc/2045-2322
DOI :
10.1038/s41598-020-80381-3
Dostęp URL :
https://doaj.org/article/c7fccc69574b4a3089790aae65eaee30
Numer akcesji :
edsdoj.7fccc69574b4a3089790aae65eaee30
Czasopismo naukowe
Abstract Densely integrated active photonics is key for next generation on-chip networks for addressing both footprint and energy budget concerns. However, the weak light-matter interaction in traditional active Silicon optoelectronics mandates rather sizable device lengths. The ideal active material choice should avail high index modulation while being easily integrated into Silicon photonics platforms. Indium tin oxide (ITO) offers such functionalities and has shown promising modulation capacity recently. Interestingly, the nanometer-thin unity-strong index modulation of ITO synergistically combines the high group-index in hybrid plasmonic with nanoscale optical modes. Following this design paradigm, here, we demonstrate a spectrally broadband, GHz-fast Mach–Zehnder interferometric modulator, exhibiting a high efficiency signified by a miniscule VπL of 95 V μm, deploying a one-micrometer compact electrostatically tunable plasmonic phase-shifter, based on heterogeneously integrated ITO thin films into silicon photonics. Furthermore we show, that this device paradigm enables spectrally broadband operation across the entire telecommunication near infrared C-band. Such sub-wavelength short efficient and fast modulators monolithically integrated into Silicon platform open up new possibilities for high-density photonic circuitry, which is critical for high interconnect density of photonic neural networks or applications in GHz-fast optical phased-arrays, for example.
Zaloguj się, aby uzyskać dostęp do pełnego tekstu.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies