Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ
Tytuł pozycji:

0.52 V mm ITO-based Mach-Zehnder modulator in silicon photonics

Tytuł :
0.52 V mm ITO-based Mach-Zehnder modulator in silicon photonics
Autorzy :
Rubab Amin
Rishi Maiti
Caitlin Carfano
Zhizhen Ma
Mohammad H. Tahersima
Yigal Lilach
Dilan Ratnayake
Hamed Dalir
Volker J. Sorger
Pokaż więcej
Temat :
Applied optics. Photonics
TA1501-1820
Źródło :
APL Photonics, Vol 3, Iss 12, Pp 126104-126104-11 (2018)
Wydawca :
AIP Publishing LLC, 2018.
Rok publikacji :
2018
Kolekcja :
LCC:Applied optics. Photonics
Typ dokumentu :
article
Opis pliku :
electronic resource
Język :
English
ISSN :
2378-0967
Relacje :
https://doaj.org/toc/2378-0967
DOI :
10.1063/1.5052635
Dostęp URL :
https://doaj.org/article/c84a8713bed147c99854ee2685ccc29f
Numer akcesji :
edsdoj.84a8713bed147c99854ee2685ccc29f
Czasopismo naukowe
Electro-optic modulators transform electronic signals into the optical domain and are critical components in modern telecommunication networks, RF photonics, and emerging applications in quantum photonics, neuromorphic photonics, and beam steering. All these applications require integrated and voltage-efficient modulator solutions with compact form factors that are seamlessly integrable with silicon photonics platforms and feature near-CMOS material processing synergies. However, existing integrated modulators are challenged to meet these requirements. Conversely, emerging electro-optic materials heterogeneously and monolithically integrated with Si photonics open up a new avenue for device engineering. Indium tin oxide (ITO) is one such compelling material for heterogeneous integration in Si exhibiting formidable electro-optic effect characterized by unity-order index change at telecommunication frequencies. Here we overcome these limitations and demonstrate a monolithically integrated ITO electro-optic modulator based on a Mach Zehnder interferometer featuring a high-performance half-wave voltage and active device length product of VπL = 0.52 V mm. We show that the unity-strong index change enables a 30 μm-short π-phase shifter operating ITO in the index-dominated region away from the epsilon-near-zero point for reduced losses. This device experimentally confirms electrical phase shifting in ITO enabling its use in applications such as compact phase shifters, nonlinear activation functions in photonic neural networks, and phased array applications for LiDAR.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies