Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Linear and nonlinear optical responses in the chiral multifold semimetal RhSi

Tytuł:
Linear and nonlinear optical responses in the chiral multifold semimetal RhSi
Autorzy:
Zhuoliang Ni
B. Xu
M.-Á. Sánchez-Martínez
Y. Zhang
K. Manna
C. Bernhard
J. W. F. Venderbos
F. de Juan
C. Felser
A. G. Grushin
Liang Wu
Temat:
Materials of engineering and construction. Mechanics of materials
TA401-492
Atomic physics. Constitution and properties of matter
QC170-197
Źródło:
npj Quantum Materials, Vol 5, Iss 1, Pp 1-10 (2020)
Wydawca:
Nature Portfolio, 2020.
Rok publikacji:
2020
Kolekcja:
LCC:Materials of engineering and construction. Mechanics of materials
LCC:Atomic physics. Constitution and properties of matter
Typ dokumentu:
article
Opis pliku:
electronic resource
Język:
English
ISSN:
2397-4648
Relacje:
https://doaj.org/toc/2397-4648
DOI:
10.1038/s41535-020-00298-y
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/943e5f7344d94c6da217b5467df52c39  Link otwiera się w nowym oknie
Numer akcesji:
edsdoj.943e5f7344d94c6da217b5467df52c39
Czasopismo naukowe
Abstract Chiral topological semimetals are materials that break both inversion and mirror symmetries. They host interesting phenomena such as the quantized circular photogalvanic effect (CPGE) and the chiral magnetic effect. In this work, we report a comprehensive theoretical and experimental analysis of the linear and nonlinear optical responses of the chiral topological semimetal RhSi, which is known to host multifold fermions. We show that the characteristic features of the optical conductivity, which display two distinct quasi-linear regimes above and below 0.4 eV, can be linked to excitations of different kinds of multifold fermions. The characteristic features of the CPGE, which displays a sign change at 0.4 eV and a large non-quantized response peak of around 160 μA/V2 at 0.7 eV, are explained by assuming that the chemical potential crosses a flat hole band at the Brillouin zone center. Our theory predicts that, in order to observe a quantized CPGE in RhSi, it is necessary to increase the chemical potential as well as the quasiparticle lifetime. More broadly, our methodology, especially the development of the broadband terahertz emission spectroscopy, could be widely applied to study photogalvanic effects in noncentrosymmetric materials and in topological insulators in a contact-less way and accelerate the technological development of efficient infrared detectors based on topological semimetals.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies