Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ
Tytuł pozycji:

Towards integrated metatronics: a holistic approach on precise optical and electrical properties of Indium Tin Oxide

Tytuł :
Towards integrated metatronics: a holistic approach on precise optical and electrical properties of Indium Tin Oxide
Autorzy :
Yaliang Gui
Mario Miscuglio
Zhizhen Ma
Mohammad H. Tahersima
Shuai Sun
Rubab Amin
Hamed Dalir
Volker J. Sorger
Pokaż więcej
Temat :
Medicine
Science
Źródło :
Scientific Reports, Vol 9, Iss 1, Pp 1-10 (2019)
Wydawca :
Nature Publishing Group, 2019.
Rok publikacji :
2019
Kolekcja :
LCC:Medicine
LCC:Science
Typ dokumentu :
article
Opis pliku :
electronic resource
Język :
English
ISSN :
2045-2322
Relacje :
http://link.springer.com/article/10.1038/s41598-019-47631-5; https://doaj.org/toc/2045-2322
DOI :
10.1038/s41598-019-47631-5
Dostęp URL :
https://doaj.org/article/ef8bb7e7d19f47a4b0c9ae9c02896411
Numer akcesji :
edsdoj.f8bb7e7d19f47a4b0c9ae9c02896411
Czasopismo naukowe
Abstract The class of transparent conductive oxides includes the material indium tin oxide (ITO) and has become a widely used material of modern every-day life such as in touch screens of smart phones and watches, but also used as an optically transparent low electrically-resistive contract in the photovoltaics industry. More recently ITO has shown epsilon-near-zero (ENZ) behavior in the telecommunication frequency band enabling both strong index modulation and other optically-exotic applications such as metatronics. However, the ability to precisely obtain targeted electrical and optical material properties in ITO is still challenging due to complex intrinsic effects in ITO and as such no integrated metatronic platform has been demonstrated to-date. Here we deliver an extensive and accurate description process parameter of RF-sputtering, showing a holistic control of the quality of ITO thin films in the visible and particularly near-infrared spectral region. We are able to custom-engineer the ENZ point across the telecommunication band by explicitly controlling the sputtering process conditions. Exploiting this control, we design a functional sub-wavelength-scale filter based on lumped circuit-elements, towards the realization of integrated metatronic devices and circuits.
Zaloguj się, aby uzyskać dostęp do pełnego tekstu.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies