Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Influence of strain on growth mode and electro-optical properties of high-brightness InGaN-LEDs on SiC

Tytuł:
Influence of strain on growth mode and electro-optical properties of high-brightness InGaN-LEDs on SiC
Autorzy:
Baur, J.
Strauss, U.
Bruederl, G.
Eisert, D.
Oberschmid, R.
Hahn, B.
Lugauer, H.-J.
Bader, S.
Zehnder, U.
Fehrer, M.
Härle, V.
Źródło:
In Journal of Crystal Growth 2001 230(3):507-511
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies