Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Uniformity of the wafer surface temperature during MOVPE growth of GaN-based laser diode structures on GaN and sapphire substrate

Szczegóły

Tytuł:: Uniformity of the wafer surface temperature during MOVPE growth of GaN-based laser diode structures on GaN and sapphire substrate
Autorzy:: Hoffmann, V.
Knauer, A.
Brunner, C.
Einfeldt, S.
Weyers, M.
Tränkle, G.
Haberland, K.
Zettler, J.-T.
Kneissl, M.
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 2011 315(1):5-9
: Czasopismo naukowe

Full Text Finder

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Uniformity of the wafer surface temperature during MOVPE growth of GaN-based laser diode structures on GaN and sapphire substrate