Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Investigation of grain boundaries in BaSi2 epitaxial films on Si(1 1 1) substrates using transmission electron microscopy and electron-beam-induced current technique

Szczegóły

Tytuł:: Investigation of grain boundaries in BaSi2 epitaxial films on Si(1 1 1) substrates using transmission electron microscopy and electron-beam-induced current technique
Autorzy:: Baba, Masakazu
Toh, Katsuaki
Toko, Kaoru
Saito, Noriyuki
Yoshizawa, Noriko
Jiptner, Karolin
Sekiguchi, Takashi
Hara, Kosuke O.
Usami, Noritaka
Suemasu, Takashi
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 1 June 2012 348(1):75-79
: Czasopismo naukowe

Full Text Finder

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Investigation of grain boundaries in BaSi2 epitaxial films on Si(1 1 1) substrates using transmission electron microscopy and electron-beam-induced current technique