Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

MOVPE growth of (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As type-II heterostructures on GaAs substrate for near infrared laser applications

Szczegóły

Tytuł:: MOVPE growth of (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As type-II heterostructures on GaAs substrate for near infrared laser applications
Autorzy:: Fuchs, C.
Beyer, A.
Volz, K.
Stolz, W.
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 15 April 2017 464:201-205
: Czasopismo naukowe

Full Text Finder

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

MOVPE growth of (GaIn)As/Ga(AsSb)/(GaIn)As type-II heterostructures on GaAs substrate for near infrared laser applications