Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Simulation to confirm the existence of distinct low-temperature regions in a Si melt using an insulating plate under the crucible bottom for the noncontact crucible method

Szczegóły

Tytuł:: Simulation to confirm the existence of distinct low-temperature regions in a Si melt using an insulating plate under the crucible bottom for the noncontact crucible method
Autorzy:: Nakajima, Kazuo
Adachi, Tomohiro
Itoh, Harumasa
Yang, Deren
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 15 October 2019 524
: Czasopismo naukowe

Full Text Finder

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Simulation to confirm the existence of distinct low-temperature regions in a Si melt using an insulating plate under the crucible bottom for the noncontact crucible method