Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Ultra high hole mobility in Ge films grown directly on Si (1 0 0) through interface modulation

Szczegóły

Tytuł:: Ultra high hole mobility in Ge films grown directly on Si (1 0 0) through interface modulation
Autorzy:: Wei, Lian
Miao, Yi
Ding, Yuanfeng
Li, Chen
Lu, Hong
Chen, Yan-Feng
Źródło:: In Journal of Crystal Growth 15 October 2020 548
: Czasopismo naukowe

Full Text Finder

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Ultra high hole mobility in Ge films grown directly on Si (1 0 0) through interface modulation