Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Isolation properties and failure mechanisms of vertical Pt / n-GaN SBDs

Szczegóły

Tytuł:: Isolation properties and failure mechanisms of vertical Pt / n-GaN SBDs
Autorzy:: Fregolent, M.
Boito, M.
Marcuzzi, A.
De Santi, C.
Chiocchetta, F.
Treidel, E. Bahat
Wolf, M.
Brunner, F.
Hilt, O.
Würfl, J.
Meneghesso, G.
Zanoni, E.
Meneghini, M.
Źródło:: In Microelectronics Reliability November 2022 138
: Czasopismo naukowe

Full Text Finder

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Isolation properties and failure mechanisms of vertical Pt / n-GaN SBDs