Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ
Tytuł pozycji:

Radiation damage of Si1-xGex S/D p-type metal oxide semiconductor field effect transistor with different Ge concentrations

Tytuł :
Radiation damage of Si1-xGex S/D p-type metal oxide semiconductor field effect transistor with different Ge concentrations
Autorzy :
Nakashima, T.
Pokaż więcej
Źródło :
In ICSI-7, Thin Solid Films 1 February 2012 520(8):3337-3340
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies