Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ
Tytuł pozycji:

2 MeV electron irradiation effects on bulk and interface of atomic layer deposited high-k gate dielectrics on silicon

Tytuł :
2 MeV electron irradiation effects on bulk and interface of atomic layer deposited high-k gate dielectrics on silicon
Autorzy :
García, H.
Pokaż więcej
Źródło :
In Thin Solid Films 1 May 2013 534:482-487
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies