Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Defect-engineering in SiC by ion implantation and electron irradiation

Szczegóły

Tytuł:: Defect-engineering in SiC by ion implantation and electron irradiation
Autorzy:: Pensl, G.
Ciobanu, F.
Frank, T.
Kirmse, D.
Krieger, M.
Reshanov, S.
Schmid, F.
Weidner, M.
Ohshima, T.
Itoh, H.
Choyke, W.J.
Źródło:: In Microelectronic Engineering 2006 83(1):146-149
: Czasopismo naukowe

Full Text Finder

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Defect-engineering in SiC by ion implantation and electron irradiation