Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Atomic layer deposited WN xC y films growth on SiC surfaces

Szczegóły

Tytuł:: Atomic layer deposited WN xC y films growth on SiC surfaces
Autorzy:: Martin Hoyas, A.
Whelan, C.M.
Schuhmacher, J.
Maex, K.
Celis, J.P.
Źródło:: In Microelectronic Engineering 2006 83(11):2068-2071
: Czasopismo naukowe

Full Text Finder

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Atomic layer deposited WN xC y films growth on SiC surfaces