Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Effect of GaP and GaP/InGaP insertion layers on the structural and optical properties of InP quantum dots grown by metal-organic vapor phase epitaxy

Szczegóły

Tytuł:: Effect of GaP and GaP/InGaP insertion layers on the structural and optical properties of InP quantum dots grown by metal-organic vapor phase epitaxy
Autorzy:: Han, S.S.
Higo, A.
Yunpeng, W.
Deura, M.
Sugiyama, M.
Nakano, Y.
Panyakeow, S.
Ratanathammaphan, S.
Źródło:: In Microelectronic Engineering December 2013 112:143-148
: Czasopismo naukowe

Full Text Finder

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Effect of GaP and GaP/InGaP insertion layers on the structural and optical properties of InP quantum dots grown by metal-organic vapor phase epitaxy