Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Reduction in contact resistance and structural evaluation of Al/Ti electrodes on Si-implanted GaN

Szczegóły

Tytuł:: Reduction in contact resistance and structural evaluation of Al/Ti electrodes on Si-implanted GaN
Autorzy:: Nishimura, Tomoaki.
Kasai, Takeshi
Mishima, Tomonori
Kuriyama, Kazuo
Nakamura, Tohru
Źródło:: In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 1 July 2019 450:244-247
: Czasopismo naukowe

Full Text Finder

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Reduction in contact resistance and structural evaluation of Al/Ti electrodes on Si-implanted GaN