Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

In-plane anisotropy of tunneling magnetoresistance and spin polarization in lateral spin injection devices with (Ga,Mn)As/GaAs spin-Esaki diode contacts

Szczegóły

Tytuł:: In-plane anisotropy of tunneling magnetoresistance and spin polarization in lateral spin injection devices with (Ga,Mn)As/GaAs spin-Esaki diode contacts
Autorzy:: Ciorga, M.
Einwanger, A.
Wurstbauer, U.
Schuh, D.
Wegscheider, W.
Weiss, D.
Źródło:: In Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 2010 42(10):2673-2675
: Czasopismo naukowe

Full Text Finder

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

In-plane anisotropy of tunneling magnetoresistance and spin polarization in lateral spin injection devices with (Ga,Mn)As/GaAs spin-Esaki diode contacts