Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Piezopotential gated two-dimensional InSe field-effect transistor for designing a pressure sensor based on piezotronic effect

Szczegóły

Tytuł:: Piezopotential gated two-dimensional InSe field-effect transistor for designing a pressure sensor based on piezotronic effect
Autorzy:: Wang, Fulei
Jiang, Jianfeng
Liu, Qilu
Zhang, Yu
Wang, Jianjun
Wang, Shuhua
Han, Lin
Liu, Hong
Sang, Yuanhua
Źródło:: In Nano Energy April 2020 70
: Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Piezopotential gated two-dimensional InSe field-effect transistor for designing a pressure sensor based on piezotronic effect