Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ
Tytuł pozycji:

Study of Effective Graded Oxide Capacitance and Length Variation on Analog, RF and Power Performances of Dual Gate Underlap MOS-HEMT

Tytuł :
Study of Effective Graded Oxide Capacitance and Length Variation on Analog, RF and Power Performances of Dual Gate Underlap MOS-HEMT
Autorzy :
Ghosh, Sneha
Mondal, Anindita
Kar, Mousiki
Kundu, Atanu
Pokaż więcej
Źródło :
Silicon. :1-11
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies