Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

J–V Characteristic of p–n Structure Formed on n-GaAs Surface by Ar+ Ion Beam

Szczegóły
Pełny tekst

Tytuł:: J–V Characteristic of p–n Structure Formed on n-GaAs Surface by Ar Ion Beam
Autorzy:: Mikoushkin, V. M.
Kalinovskii, V. S.
Kontrosh, E. V.
Makarevskaya, E. A.
Źródło:: Semiconductors. 53(14):1922-1925
: Czasopismo naukowe

Pełny tekst

Zaloguj się, aby uzyskać dostęp do pełnego tekstu.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

J–V Characteristic of p–n Structure Formed on n-GaAs Surface by Ar+ Ion Beam