Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ
Tytuł pozycji:

Structural Characteristics of Epitaxial Low-Temperature Grown {InGaAs/InAlAs} Superlattices on InP(100) and InP(111)A Substrates

Tytuł :
Structural Characteristics of Epitaxial Low-Temperature Grown {InGaAs/InAlAs} Superlattices on InP(100) and InP(111)A Substrates
Autorzy :
Galiev, G. B.
Vasiliev, A. L.Aff2, Aff3
Vasil’evskii, I. S.
Vinichenko, A. N.
Klimov, E. A.
Klochkov, A. N.
Trunkin, I. N.
Pushkarev, S. S.Aff1, IDS1063774520030104_cor8
Pokaż więcej
Źródło :
Crystallography Reports. 65(3):496-501
Czasopismo naukowe
Zaloguj się, aby uzyskać dostęp do pełnego tekstu.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies