Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Angular distributions of sputtered atoms for low-energy nitrogen irradiation of silicon

Szczegóły

Tytuł:: Angular distributions of sputtered atoms for low-energy nitrogen irradiation of silicon
Autorzy:: Bouchier, D.
Bosseboeuf, A.
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science and Processing. August 1991 53(2):179-184
: Czasopismo naukowe

Full Text Finder

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Angular distributions of sputtered atoms for low-energy nitrogen irradiation of silicon