Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ
Tytuł pozycji:

Intensive Study of Field-Plated AlGaN/GaN HEMT on Silicon Substrate for High Power RF Applications

Tytuł :
Intensive Study of Field-Plated AlGaN/GaN HEMT on Silicon Substrate for High Power RF Applications
Autorzy :
Kumar, J. S. Raj
Nirmal, D.
Hooda, Manish Kumar
Singh, Surinder
Ajayan, J.
Arivazhagan, L.
Pokaż więcej
Źródło :
Silicon. :1-6
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies