Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Nanoscale imaging of mobile carriers and trapped charges in delta doped silicon p–n junctions

Szczegóły

Tytuł:: Nanoscale imaging of mobile carriers and trapped charges in delta doped silicon p–n junctions
Autorzy:: Gramse, GeorgAff1, Aff2
Kölker, AlexanderAff3, Aff4
Škereň, Tomáš
Stock, Taylor J. Z.
Aeppli, GabrielAff6, Aff7, Aff8
Kienberger, Ferry
Fuhrer, Andreas
Curson, Neil J.Aff3, Aff4
Źródło:: Nature Electronics. 3(9):531-538
: Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Nanoscale imaging of mobile carriers and trapped charges in delta doped silicon p–n junctions