Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Selective area epitaxy of ultra-high density InGaN quantum dots by diblock copolymer lithography

Szczegóły

Tytuł:: Selective area epitaxy of ultra-high density InGaN quantum dots by diblock copolymer lithography
Autorzy:: Liu, Guangyu
Zhao, Hongping
Zhang, Jing
Park, Joo Hyung
Mawst, Luke J
Tansu, Nelson
Źródło:: Nanoscale Research Letters. December 2011 6(1):1-10
: Czasopismo naukowe

Full Text Finder

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Selective area epitaxy of ultra-high density InGaN quantum dots by diblock copolymer lithography