Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Lattice mismatched InGaAs on silicon photodetectors grown by molecular beam epitaxy

Szczegóły

Tytuł:: Lattice mismatched InGaAs on silicon photodetectors grown by molecular beam epitaxy
Autorzy:: Papanicolaou, N. A.
Anderson, G. W.
Iliadis, A. A.
Christou, A.
Źródło:: Journal of Electronic Materials. February 1993 22(2):201-206
: Czasopismo naukowe

Full Text Finder

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Lattice mismatched InGaAs on silicon photodetectors grown by molecular beam epitaxy