Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Effect of Intrinsic Defects on Electronic and Magnetic Properties in Tm-Doped GaN: First-Principles Calculations

Szczegóły

Tytuł :: Effect of Intrinsic Defects on Electronic and Magnetic Properties in Tm-Doped GaN: First-Principles Calculations
Autorzy :: Li, Y. R.
Su, H. L.
Hou, Z. T.
Liu, H. Y.
Liu, C. C.
Li, Y.; Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Superconductivity and Novel Magnetism: Incorporating Novel Magnetism. 31(12):3911-3917
: Czasopismo naukowe

Full Text Finder

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Effect of Intrinsic Defects on Electronic and Magnetic Properties in Tm-Doped GaN: First-Principles Calculations