- Tytuł:
- Effects of quantum well thickness and aluminum content of electron blocking layer on InGaN-based laser diodes
- Autorzy:
- Źródło:
- Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 31(8):5814-5819
- Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.