Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Author Correction: Realization of tunable artificial synapse and memory based on amorphous oxide semiconductor transistor

Szczegóły
Pełny tekst

Tytuł:: Author Correction: Realization of tunable artificial synapse and memory based on amorphous oxide semiconductor transistor
Autorzy:: Dai, Mingzhi
Wang, WeiliangAff1, Aff2
Wang, PengjunAff2, Aff3
Iqbal, Muhammad Zahir
Annabi, Nasim
Amin, Nasir
Źródło:: Scientific Reports. 11(1)
: Czasopismo naukowe

Pełny tekst

Zaloguj się, aby uzyskać dostęp do pełnego tekstu.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Author Correction: Realization of tunable artificial synapse and memory based on amorphous oxide semiconductor transistor