Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Natural fluctuations in tunneling-current distribution over the area of a reverse-biased silicon p-n junction

Szczegóły

Tytuł:: Natural fluctuations in tunneling-current distribution over the area of a reverse-biased silicon p-n junction
Autorzy:: Kozlov, V. A.
Obolensky, S. V.
Shmagin, V. B.
Krasilnik, Z. F.
Źródło:: Semiconductors. January 2012 46(1):130-135
: Czasopismo naukowe

Pełny tekst

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Natural fluctuations in tunneling-current distribution over the area of a reverse-biased silicon p-n junction