Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Effects of NH3 Flow Rate During AlGaN Barrier Layer Growth on the Material Properties of AlGaN/GaN HEMT Heterostructure

Szczegóły

Tytuł:: Effects of NH3 Flow Rate During AlGaN Barrier Layer Growth on the Material Properties of AlGaN/GaN HEMT Heterostructure
Autorzy:: Lumbantoruan, Franky J.
Wong, Yuen-Yee
Huang, Wei-Ching
Yu, Hung-Wei
Chang, Edward-Yi
Źródło:: Journal of Electronic Materials. October 2017 46(10):6104-6110
: Czasopismo naukowe

Full Text Finder

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Effects of NH3 Flow Rate During AlGaN Barrier Layer Growth on the Material Properties of AlGaN/GaN HEMT Heterostructure