- Tytuł:
- Formation of local insulating regions in Si/Si—Ge structures by ion implantation with subsequent stain etching
- Autorzy:
- Źródło:
- Russian Microelectronics. 29(5):294-298
- Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.