Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Large area growth of few-layer In2Te3 films by chemical vapor deposition and its magnetoresistance properties

Szczegóły
Pełny tekst

Tytuł:: Large area growth of few-layer In2Te3 films by chemical vapor deposition and its magnetoresistance properties
Autorzy:: Zhang, ShaohuiAff1, Aff2
Zhang, Jingyang
Liu, Baosheng
Jia, Xiaobo
Wang, Guofu
Chang, Haixin
Źródło:: Scientific Reports. 9(1)
: Czasopismo naukowe

Pełny tekst

Zaloguj się, aby uzyskać dostęp do pełnego tekstu.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Large area growth of few-layer In2Te3 films by chemical vapor deposition and its magnetoresistance properties