Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Influence of Symmetric Underlap on Analog, RF and Power Applications for DG AlGaN/GaN MOS-HEMT

Tytuł:
Influence of Symmetric Underlap on Analog, RF and Power Applications for DG AlGaN/GaN MOS-HEMT
Autorzy:
Mitra, RajrupAff1, IDs1263302101039x_cor1
Roy, Akash
Mondal, Arnab
Kundu, Atanu
Źródło:
Silicon. 14(5):2329-2336
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies