Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Comparative Study of Variations in Gate Oxide Material of a Novel Underlap DG MOS-HEMT for Analog/RF and High Power Applications

Tytuł:
Comparative Study of Variations in Gate Oxide Material of a Novel Underlap DG MOS-HEMT for Analog/RF and High Power Applications
Autorzy:
Mondal, Arnab
Roy, Akash
Mitra, Rajrup
Kundu, Atanu
Źródło:
Silicon. 12(9):2251-2257
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Prześlij opinię

Twoje opinie są dla nas bardzo ważne i mogą być niezwykle pomocne w pokazaniu nam, gdzie możemy dokonać ulepszeń. Bylibyśmy bardzo wdzięczni za poświęcenie kilku chwil na wypełnienie krótkiego formularza.

Formularz