Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Influence of As+ Ion Implantation on Properties of MBE HgCdTe Near-Surface Layer Characterized by Metal–Insulator–Semiconductor Techniques

Szczegóły

Tytuł:: Influence of As Ion Implantation on Properties of MBE HgCdTe Near-Surface Layer Characterized by Metal–Insulator–Semiconductor Techniques
Autorzy:: Voitsekhovskii, A. V.
Nesmelov, S. N.
Dzyadukh, S. M.
Varavin, V. S.
Dvoretsky, S. A.Aff1, Aff2
Mikhailov, N. N.
Sidorov, G. Y.
Yakushev, M. V.
Marin, D. V.
Źródło:: Journal of Electronic Materials. 50(4):2323-2330
: Czasopismo naukowe

Full Text Finder

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Influence of As+ Ion Implantation on Properties of MBE HgCdTe Near-Surface Layer Characterized by Metal–Insulator–Semiconductor Techniques