- Tytuł:
- Electrically active centers in Si:Er light-emitting layers grown by sublimation molecular-beam epitaxy
- Autorzy:
- Źródło:
- Semiconductors. February 2002 36(2):171-175
- Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.