Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Electrically active centers in Si:Er light-emitting layers grown by sublimation molecular-beam epitaxy

Tytuł:
Electrically active centers in Si:Er light-emitting layers grown by sublimation molecular-beam epitaxy
Autorzy:
Shmagin, V. B.
Andreev, B. A.
Antonov, A. V.
Krasil’nik, Z. F.
Kuznetsov, V. P.
Kuznetsov, O. A.
Uskova, E. A.
Ammerlaan, C. A. J.
Pensl, G.
Źródło:
Semiconductors. February 2002 36(2):171-175
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies