Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Investigation of the optical properties of GaAs with δ-Si doping grown by molecular-beam epitaxy at low temperatures

Szczegóły

Tytuł:: Investigation of the optical properties of GaAs with δ-Si doping grown by molecular-beam epitaxy at low temperatures
Autorzy:: Lavrukhin, D. V.Aff1, Aff2
Yachmenev, A. E.Aff1, Aff2
Bugaev, A. S.Aff1, Aff2
Galiev, G. B.
Klimov, E. A.
Khabibullin, R. A.Aff1, Aff2
Ponomarev, D. S.Aff1, Aff2
Maltsev, P. P.
Źródło:: Semiconductors. 49(7):911-914
: Czasopismo naukowe

Pełny tekst

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Investigation of the optical properties of GaAs with δ-Si doping grown by molecular-beam epitaxy at low temperatures