Інформація

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Назва предмета:

Improvement in Electrical and 2DEG Properties of Al0.26Ga0.74N|GaN|Si HEMTs

Tytuł:
Improvement in Electrical and 2DEG Properties of Al0.26Ga0.74N|GaN|Si HEMTs
Autorzy:
Jabli, F.Aff1, Aff2
Dhouibi, S.Aff3, Aff5
Gassoumi, M.Aff2, Aff4
Źródło:
Semiconductors. 55(3):379-383
Czasopismo naukowe
Zaloguj się, aby uzyskać dostęp do pełnego tekstu.