Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ
Tytuł pozycji:

AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron Mobility Transistors Using Ga2O3 Gate Dielectric Layer Grown by Vapor Cooling Condensation System

Tytuł :
AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron Mobility Transistors Using Ga2O3 Gate Dielectric Layer Grown by Vapor Cooling Condensation System
Autorzy :
Lee, Hsin-Ying
Chang, Ting-Wei
Lee, Ching-TingAff1, Aff2, Aff3
Pokaż więcej
Źródło :
Journal of Electronic Materials. 50(6):3748-3753
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies