Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ
Tytuł pozycji:

Investigation on LG = 50 nm Tapered T-Gated AlGaN/GaN HEMT on Silicon Wafer with a fT/fmax of 264/312 GHz for beyond 5G (B5G) Applications

Tytuł :
Investigation on LG = 50 nm Tapered T-Gated AlGaN/GaN HEMT on Silicon Wafer with a fT/fmax of 264/312 GHz for beyond 5G (B5G) Applications
Autorzy :
Kumar, J. S. Raj
Nirmal, D.Aff1, IDs1263302201860y_cor2
Ajayan, J.
Tayal, Shubham
Pokaż więcej
Źródło :
Silicon. :1-8
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies