Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

A low-temperature bonding method for high power device packaging based on In-infiltrated nanoporous Cu

Szczegóły

Tytuł:: A low-temperature bonding method for high power device packaging based on In-infiltrated nanoporous Cu
Autorzy:: Hang, Chunjin
Liu, Jiahao
Wang, Jianqiang
Fu, Xing
Chen, Hongtao
Li, Mingyu
Źródło:: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 31(17):14157-14164
: Czasopismo naukowe

Full Text Finder

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

A low-temperature bonding method for high power device packaging based on In-infiltrated nanoporous Cu