Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Effect of Li ions doping into p-type semiconductor NiO as a hole injection/transfer medium in the CO2 reduction sensitized/catalyzed by Zn-porphyrin/Re-complex upon visible light irradiation

Szczegóły
Pełny tekst

Tytuł:: Effect of Li ions doping into p-type semiconductor NiO as a hole injection/transfer medium in the CO2 reduction sensitized/catalyzed by Zn-porphyrin/Re-complex upon visible light irradiation
Autorzy:: Nakazato, Ryosuke
Kou, Yoki
Yamamoto, Daisuke
Shimada, Tetsuya
Ishida, Tamao
Takagi, Shinsuke
Munakata, Hirokazu
Kanamura, Kiyoshi
Tachibana, Hiroshi
Inoue, Haruo
Źródło:: Research on Chemical Intermediates. 47(1):269-285
: Czasopismo naukowe

Pełny tekst

Zaloguj się, aby uzyskać dostęp do pełnego tekstu.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Effect of Li ions doping into p-type semiconductor NiO as a hole injection/transfer medium in the CO2 reduction sensitized/catalyzed by Zn-porphyrin/Re-complex upon visible light irradiation