Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

In Situ Interface Observation of 3C-SiC Nucleation on Basal Planes of 4H-SiC During Solution Growth of SiC from Molten Fe-Si Alloy

Tytuł:
In Situ Interface Observation of 3C-SiC Nucleation on Basal Planes of 4H-SiC During Solution Growth of SiC from Molten Fe-Si Alloy
Autorzy:
Kawanishi, Sakiko
Yoshikawa, Takeshi
Źródło:
JOM: The Journal of The Minerals, Metals & Materials Society (TMS). 70(7):1239-1247
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies