Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Gallium–Boron–Phosphide (GaBP2): a new III–V semiconductor for photovoltaics

Szczegóły
Pełny tekst

Tytuł:: Gallium–Boron–Phosphide (GaBP2): a new III–V semiconductor for photovoltaics
Autorzy:: Kumar, Upendra
Nayak, Sanjay
Chakrabarty, Soubhik
Bhattacharjee, Satadeep
Lee, Seung-Cheol
Źródło:: Journal of Materials Science. 55(22):9448-9460
: Czasopismo naukowe

Pełny tekst

Zaloguj się, aby uzyskać dostęp do pełnego tekstu.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Gallium–Boron–Phosphide (GaBP2): a new III–V semiconductor for photovoltaics