Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Growth of c-GaN films on the nitridated β-Ga2O3 substrates using RF-MBE

Szczegóły

Tytuł:: Growth of c-GaN films on the nitridated β-Ga2O3 substrates using RF-MBE
Autorzy:: Araki, Tsutomu
Morioka, Chiharu
Wada, Junichi
Fujiwara, Keisuke
Minami, Hiroshi
Nanishi, Yasushi
Ohira, Shigeo
Suzuki, Norihito
Shishido, Toetsu
Źródło:: MRS Online Proceedings Library. 892(1)
: Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Growth of c-GaN films on the nitridated β-Ga2O3 substrates using RF-MBE