- Tytuł:
- Effect of substrate orientation on Zn-doping of AIGalnP grown by atmospheric pressure orgamometallic vapor phase epitaxy
- Autorzy:
- Źródło:
- Journal of Electronic Materials. June 1990 19(6):597-599
- Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.